讓我們來了解一下雙向可控硅調光器，雙(shuang)向晶閘(zha)管(guan)裝置(zhi),它屬于(yu)NPNPN五層(ceng)三個電極(ji)T1,T2,雙(shuang)G .因(yin)為(wei)(wei)設(she)備可以,門外兩個電極(ji)被稱為(wei)(wei)主要G終端,表(biao)示與(yu)T1,T2,不再分為(wei)(wei)陽(yang)極(ji)或陰極(ji)。其(qi)特點是,當G極(ji)T1和T2相對(dui)于(yu)電壓時間、T2是陽(yang)極(ji),陰極(ji)。相反,當G極(ji)其(qi)T1和T2相對(dui)于(yu)電壓為(wei)(wei)負,正極(ji),T1,T2作為(wei)(wei)陰極(ji)。FuFa雙(shuang)向晶閘(zha)管(guan)的特點,因(yin)為(wei)(wei)積極(ji)的和反向特性(xing)曲線對(dui)稱,因(yin)此可以在任(ren)何一個方向傳(chuan)導。這是用萬能表(biao)R x 1”來確定雙(shuang)向晶閘(zha)管(guan)電極(ji)的方法(fa),還要檢查觸(chu)發能力。

　　因(yin)此,G - T1之(zhi)間(jian)的正向(xiang)(xiang)(xiang)和(he)(he)反向(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)阻很小。在(zai)R x 1”來(lai)衡量(liang)任何兩個(ge)腳(jiao)之(zhi)間(jian)的阻力,只(zhi)(zhi)(zhi)有(you)G - T1之(zhi)間(jian)存在(zai)低阻,積極(ji)和(he)(he)反向(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)阻只(zhi)(zhi)(zhi)有(you)幾十個(ge)歐洲(zhou)。,T2和(he)(he)T1和(he)(he)T2 - G是積極(ji)的和(he)(he)反向(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)阻無(wu)窮大。這(zhe)意味著如果一只(zhi)(zhi)(zhi)腳(jiao)和(he)(he)其他兩只(zhi)(zhi)(zhi)腳(jiao)不測(ce)量(liang),當然T2。可(ke)控(kong)(kong)硅(gui)晶閘(zha)管可(ke)控(kong)(kong)硅(gui)(可(ke)控(kong)(kong)硅(gui))。自(zi)1950年代的出現已經成長為一個(ge)大家庭,它的主要成員是ChanXiangJing閘(zha)流管,雙向(xiang)(xiang)(xiang)晶閘(zha)管,光控(kong)(kong)晶閘(zha)管,可(ke)控(kong)(kong)硅(gui),可(ke)以關(guan)斷可(ke)控(kong)(kong)硅(gui)元件,快(kuai)速晶閘(zha)管,等等。

　　今天每(mei)個人(ren)都(dou)使(shi)用一(yi)(yi)個ChanXiangJing制(zhi)動管(guan),也(ye)是(shi)(shi)普通晶(jing)閘(zha)管(guan),人(ren)們(men)常說這是(shi)(shi)由半導體(ti)材料的(de)四層(ceng),有(you)三個pn結,外(wai)部有(you)三個電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(圖(tu)2(a)):第一(yi)(yi)層(ceng)的(de)P型半導體(ti)鉛(qian)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)稱為陽極(ji)(ji)(ji)(ji),一(yi)(yi)層(ceng)3 P型半導體(ti)鉛(qian)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)稱為控制(zhi)G層(ceng)4 N型半導體(ti)鉛(qian)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)是(shi)(shi)陰極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)k .晶(jing)閘(zha)管(guan)電(dian)路符(fu)號(圖(tu)2(b))可以看到,它是(shi)(shi)一(yi)(yi)種單一(yi)(yi)方向和二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)導電(dian)裝置(zhi),關鍵(jian)是(shi)(shi)要(yao)有(you)一(yi)(yi)個更(geng)多(duo)的(de)控制(zhi),這使(shi)得它有(you)一(yi)(yi)個完全不同(tong)的(de)從二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)的(de)工作特性。